K9K8G08UOA-PCBO存储芯片经销商

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K9K8G08UOA-PCBO存储芯片经销商参数

制造商IC编号K9K8G08UOA-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9K8G08UOA-PCBO存储芯片经销商相关信息

敢于亮剑目前，韩国的三星和海力士，以及美国美光，这三家企业占据了全球 90%以上的 DRAM 市场份额，呈现寡头竞争格局。可以期待的是，在存储芯片领域（IDM 模式），国内三位探路者已经点燃了“星星之火”。 2016 年，长江存储在 NOR Flash 晶圆制造商武汉新芯的基础上，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资组建而成，负责国家存储器基地项目（总投资约为 240 亿美元）的研发、建设和运营。长江存储于 2017 年研制成功中国第一颗 3D NAND 闪存芯片。2018 年 8 月公开发布其突破性技术——XtackingTM。据中国证券报记者了解，尽管 32 层 3D NAND 已有小批量生产，但大批量生产并不在长江存储的计划之内，其瞄准的是与全球巨头缩小差距，尽快追上 64 层甚至 128 层的全球领先水平。 值得一提的是，2015 年紫光集团试图以 230 亿美元收购美光，借此进入 DRAM 和三维闪存领域，但最终未能如愿。 2016 年 5 月，长鑫存储在安徽合肥成立。2017 年 10 月，主营产品包括 NOR Flash 的 A 股公司兆易创新发布公告，与合肥市产业投资控股有限公司签署合作协议，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）研发项目，项目预算约为 180 亿元。

今年 5 月 15 日，长鑫存储董事长朱一明表示，公司已累计投入 25 亿美元研发费用，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。 福建晋华于 2017 年 2 月落地晋江，该项目规划面积 594 亩，一期总投资 370 亿元，主要建设 12 英寸 DRAM 晶圆生产线，产能规模为月产 6 万片内存晶圆；二期将新增 6 万片内存晶圆产能规模。在技术路径上，将首先依托联华电子集团共同开展产品研发和制程设计，达到一期项目产品要求后，转入自主建设研发体系、自主开发新世纪产品，持续跟进全球内存制造前沿技术。遗憾的是，2018 年 10 月，福建晋华被美国商务部列入“实体清单”。在今年 1 月 25 日的声明中，晋华表示，已向美国商务部最终用户审查委员会提交信函，声明公司准备递交正式申诉。 现在，DRAM 制造领域又添国产“新面孔”，紫光集团将在发展壮大我国存储芯片产业的道路上担当重任。