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LM2594MX-5.0放大器价格实惠大量供应参数
制造商IC编号LM2594MX-5.0
厂牌TEXAS/TI/德仪
IC 类别VOLTAGE REGULATOR
IC代码LM2594
脚位/封装TAPE
外包装
无铅/环保含铅
电压(伏)
温度规格
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
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三星宣布成功开发业界首款10nm级8Gb LPDDR5 DRAM。自从2014年8Gb LPDRD4投入量产以来,三星就开始向LPDDR5标准过渡。LPDDR5 DRAM芯片主要应用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,5G和AI将是其主要应用领域。
8Gb LPDDR5已加入三星DRAM高端产品阵容,该产品阵容包括10nm级16Gb GDDR6 DRAM(2017年12月量产)和16Gb DDR5 DRAM(2月开发)。
三星存储产品规划及应用工程高级副总裁Jinman Han表示:“8Gb LPDDR5的问世代表了低功耗移动存储解决方案的一大进步,三星将继续扩大下一代10nm级DRAM阵容,在全球范围内加速推动优质存储产品的应用。”
8Gb LPDDR5数据传输速率高达6400 Mb/s,是目前旗舰级移动设备所使用的移动DRAM芯片(LPDDR4X,4266Mb/s)速度的1.5倍。新的LPDDR5每秒可以传送51.2GB的数据,相当于大约14个全高清视频文件(3.7GB/个)。
10nm级LPDDR5 DRAM在1.1V工作电压下数据传输速率为6400Mbps,1.05V工作电压下数据传输速率为5500Mbps,供智能手机、汽车车载平台自行选择。为了最大限度地节省电能,在活动模式下10nm级LPDDR5可根据处理器的运行速度动态调节电压。此外,新的LPDDR5芯片还可提供“深度休眠模式”,可将功耗降低为当前LPDDR4X DRAM“空闲模式”的大约一半。得益于这些低功耗特性,8Gb LPDDR5 DRAM功耗比LPDDR4X降低高达30%,最大限度地提高移动设备性能和延长智能手机的电池寿命。
三星已与全球领先芯片供应商共同完成了8GB LPDDR5 DRAM功能测试和验证,该产品由八颗8Gb LPDDR5芯片封装组成。三星将在韩国平泽工厂量产LPDDR5以及DDR5和GDDR6 DRAM芯片。
LM2594MX-5.0
ti
FBGA60
17+
800mhz