K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价

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K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价参数

制造商IC编号K9F2G08UOC-SIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用


K9F2G08UOC-SIBO存储器芯片报价相关信息

一个国家的高科技产业如果落后,就很容易被“卡脖子”。半导体芯片是尖端制造业之一,中国的芯片进口额已经超过原油进口额,成为第一大进口物资,每年的进口规模超过 2000 亿美元。在动态存储芯片(DRAM)方面,为了尽快突破技术垄断,实现独立自主,摆脱完全依赖进口的局面,近年来,中国大陆开启 DRAM 产业战略布局,引起行业关注。

当前,全球 DRAM 产业呈现寡头垄断态势,中国参与竞争后注定会面临诸多困难和挑战。需要注意的是,一定要把核心技术掌握在自己手里,才有做大做强的基础。回顾当年,台湾 DRAM 产业没有能够成功,就是吃了没有核心技术的亏,留下的惨痛教训值得我们警醒。

前车之鉴

台湾的 DRAM 产业发端于 1983 年与美国合作研发内存。经过上世纪九十年代行业的迭代更新,直到 2006 年,台湾仅存六家 DRAM 厂商,其中三家为自主品牌,另外三家为代工厂。2008 年,全球金融危机爆发,内存价格全面崩盘,重创台湾 DRAM 产业。后来,各厂商纷纷转型。2015 年,美光收购华亚科技大半股份,台湾 DRAM 独立经营之路终结。

放弃自主研发留下惨痛教训 产业溃败成就“台湾存储教父”?2019-08-23 11:05 预计 12 分钟读完一个国家的高科技产业如果落后,就很容易被“卡脖子”。半导体芯片是尖端制造业之一,中国的芯片进口额已经超过原油进口额,成为第一大进口物资,每年的进口规模超过 2000 亿美元。在动态存储芯片(DRAM)方面,为了尽快突破技术垄断,实现独立自主,摆脱完全依赖进口的局面,近年来,中国大陆开启 DRAM 产业战略布局,引起行业关注。

当前,全球 DRAM 产业呈现寡头垄断态势,中国参与竞争后注定会面临诸多困难和挑战。需要注意的是,一定要把核心技术掌握在自己手里,才有做大做强的基础。回顾当年,台湾 DRAM 产业没有能够成功,就是吃了没有核心技术的亏,留下的惨痛教训值得我们警醒。

前车之鉴




型号/规格

K9F2G08UOC-SIBO

品牌/商标

SAMSUNG

封装

BGA

批号

17+

速度

800mhz