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LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证主图
LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证参数
制造商IC编号LM2594M-ADJ
厂牌TEXAS/TI/德仪
IC 类别VOLTAGE REGULATOR
IC代码LM2594
脚位/封装TAPE
外包装
无铅/环保含铅
电压(伏)
温度规格
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
LM2594M-ADJ放大器欲购从速品质保证相关信息
据“半导体行业观察”17日引述知情人士的话称,合肥长鑫8Gb LPDDR4正式投片。文章感慨道:“这是国产DRAM产业的一个里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储,国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破,为推动存储国产化掀开了重要一页。”
无独有偶,合肥长鑫合作方兆易创新16日发布公告,董事长朱一明辞去总经理职务,但仍将担任董事长一职。
而据“半导体行业观察”引述知情人士的话称,朱一明下一步将赴合肥长鑫担任重要职位。另据微信公众号“DIGITIMES”的消息,他将从现任CEO王宁国手中接过合肥长鑫、睿力集成电路(下称:睿力)CEO的职位。
朱一明 资料图
兆易创新公告截图
“一切都在计划之内”
今年4月15日,合肥长鑫时任CEO王宁国在合肥集成电路重大项目发布会上宣布了5年规划。“半导体行业观察”报道称,从投产时间来看,一切都在计划之内。
图源:社交媒体
规划显示,2018年底,合肥长鑫将开始生产8Gb DDR4存储器的工程样品;2019年底有望达到2万片/月的产能;2020年再开始规划二厂厂房的建设;2021年要完成对17nm工艺节点的技术研发。
不过,就在昨天(17日),三星宣布成功开发业界首款10nm级别的8Gb LPDDR5 DRAM芯片,预计在明年会与消费者们见面。
而随着内存三巨头在DDR5、GDDR6的技术积累已经基本完成,产业布局也更为成熟。在可以预期的2-3年内,国产内存极有可能会面临着出生即落后的境遇。
目前,国内存储芯片研发制造方面共分为三大阵营,无论是合肥长鑫、长江存储还是福建晋华,都基本将量产时间定于2019年上半年。
其中DDR4的进度普遍较快,但在应用前景和专利风险都相当可观的LPDDR4领域,只有合肥长鑫进度最快。
“项目盈利之前,不领薪酬奖金”
LM2594M-ADJ
ti
SOP8
17+
800mhz