K4X1G163PE-FGC6DDR内存

地区:广东 深圳
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K4X1G163PE-FGC6DDR内存主图

K4X1G163PE-FGC6DDR内存参数

制造商IC编号K4X1G163PE-FGC6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR1LP SDRAM-MOBILE

IC代码64MX16 LPDDR1

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格-25 C~+85 C(WIR

速度标准包装

数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行4银行

第六代

功率低,i-TCSR & PASR & DS


K4X1G163PE-FGC6DDR内存相关信息

压敏电阻的使用一般是并联在电路中,在两端的电压发生急剧变化时,压敏电阻可能会短路从而将里边的电流保险丝熔断掉,一定程度上起到保护作用。

压敏电阻的作用是用于电源出现高压时起到保护和稳定的作用。压敏电阻的特点是随着电压的增大,电阻不断变小,可以从兆欧降低到毫欧级,幅度非常大,电压敏感特性明显。

当电压处于低值时候,压敏电阻处于漏电流工作区,这时候压敏电阻阻值很大,漏电流非常小,可以忽略不计。

当电压升高进入非线性区时,电流在相当大的范围内变化,电压基本无变化,限制电压的效果明显。

电压继续升高,超过压敏电阻的负荷时,过流负载太高,就会导致压敏电阻毁坏或者爆裂。

判断压敏电阻通常需要一个调节电压范围很宽的一个电源,并且具有很好的限流作用。测量时在压敏电阻两端并联精密度很好的电压表。把可调电源引线连接到压敏电阻两端。

缓慢调节电压上升,电压表指示电源电压,观察到达某个电压之后电压突然降低,降低之前最后时刻电压就是压敏电阻的保护值。

型号/规格

K4X1G163PE-FGC6

品牌/商标

SAMSUNG

封装

BGA

批号

17+

速度

800mhz