K9G8G08U0A-PCBO闪存芯片

K9G8G08U0A-PCBO闪存芯片主图

K9G8G08U0A-PCBO闪存芯片参数

制造商IC编号K9G8G08U0A-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9G8G08U0A-PCBO闪存芯片相关信息

次年，英特尔的 12 号员工特德 . 霍夫提出了一种新的设计，将 DRAM 存储器单元的晶体管从四个减少到三个，成功将存储空间提升到 1024 个字节。 这也就是我们如今所用 DRAM 的技术原型。

无疑，此时的美国，是第一个吃螃蟹的人。当时个人计算机尚未普及，需求小、价格低使得技术是行业核心驱动力，商战也远远未及。因此，从 1970 年的 2K 可擦除可编程只读存储器（Eprom）到 1972 年世界第一块静态随机存储器（SRAM）的推出，再到 4K 16K，64KDRAM 芯片的先后问世，在技术驱动下，存储器容量不断呈指数级增长。 技术的壁垒也毫无意外地带来了垄断，英特尔和 MOSTEK 等美国公司垄断了当时的整个市场。 然而不久之后，日本存储产业的崛起就打破了原本的竞争格局。 

1971 年，日本 NEC 公司推出了 DRAM 芯片，紧追英特尔的量产 DRAM。尽管如此，日本半导体的技术实力和产品性能与美国依然有巨大差距。同期的美国存储器已经用上了超大规模集成电路（VLSI），而日本还停留在上一代技术大规模集成电路（LSI）。 为攻破技术壁垒，1970 年代的日本政府一手抓“产官学”一体推进本土半导体实力发展，一手抓进口壁垒搞产业保护。1976 年，由日本政府的通产省牵头，以日立、三菱、富士通、东芝、NEC 五大公司作为骨干，联合了日本通产省的电气技术实验室（EIL）、日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所，投资 720 亿日元，攻坚超大规模集成电路 DRAM 的技术难关。