K9MDG08U5M-PIBOmp3闪存芯片

K9MDG08U5M-PIBOmp3闪存芯片主图

K9MDG08U5M-PIBOmp3闪存芯片参数

制造商IC编号K9MDG08U5M-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码16GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9MDG08U5M-PIBOmp3闪存芯片相关信息

英特尔在全球影响者会议上正式介绍了一系列新的技术里程碑，并强调将继续投资和坚定承诺，在以数据为中心的计算时代，促进内存和存储技术的进步，包括面向云、人工智能和网络边缘应用。为客户提供独特的Intel Ateng技术和Intel 3 DNAND解决方案英特尔非易失性存储解决方案的高级副总裁兼总经理RobCrooke说：“世界正在以惊人的速度生成数据，使公司越来越难以高效地处理数据。从所有这些数据中获得价值的能力将是成败的关键，而在内存和存储层次上的突破性创新是英特尔在这一领域的推动力。

英特尔高级副总裁兼非易失性存储解决方案总经理RobCrooke在2019年英特尔内存存储日与全球媒体分享了英特尔的内存存储策略和愿景，英特尔正式宣布将在其位于新墨西哥州里奥兰乔的工厂经营一条新的阿特罗格技术开发线，并宣布将于2020年发布第二代英特尔Ateng数据中心-类持久内存代码-“BarlowPass”，以及英特尔最强大的可扩展处理器的下一代。此外，英特尔是业内第一家为数据中心固态磁盘演示144层QLC(四级单元)NAND的公司，该产品预计也将于2020年推出。机器生成的大量数据通常需要实时分析才能实现数据的价值。这一差距使得英特尔的Ateng数据中心级的持久内存产生了很大的不同。

英特尔公司（Intel Corporation）（NASDAQ：INTC，港交所：4335），总部位于美国加州，工程技术部和销售部以及6个芯片制造工厂位于美国俄勒冈州波特兰。英特尔的创始人罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩尔（Gordon Moore）原本希望他们新公司的名称为两人名字的组合——Moore Noyce，但当他们去工商局登记时，却发现这个名字已经被一家连锁酒店抢先注册。不得已，他们采取了“Integrated Electronics（集成电子）”两个单词的缩写为公司名称。现任CEO是布莱恩·科兹安尼克（Brian Krzanich） [17]  。