K9G8G08UOM-PCBO笔记本ddr内存

K9G8G08UOM-PCBO笔记本ddr内存主图

K9G8G08UOM-PCBO笔记本ddr内存参数

制造商IC编号K9G8G08UOM-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

iC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9G8G08UOM-PCBO笔记本ddr内存相关信息

中国玩家把握进场良机

那么在这样的竞争环境之下，中国作为存储行业的后起之秀，要如何把芯片国产化的道路走通走顺？ 纵观中国存储产业链，短短四十年，从自主研发到技术引进再到兼备收购，“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略成功研制了中国人第一块 64k DRAM、“八五计划”时期的“908 工程”和“九五计划”时期的“909”计划分别孕育了无锡华晶电子以及上海华虹微电子两大晶圆厂，中国资本先后收购奇梦达科技（西安）有限公司填补国内 DRAM 设计空白，以及海外 DRAM 厂商 ISSI 实现资本化都为中国存储产业链填上了浓墨重彩的一笔。 2014 年以后，随着集成电路产业逐渐成为经济结构升级的重点发展方向，关注度和资金纷至沓来，中国存储产业正式进入 IDM 时代。代表企业合肥长鑫在元件、光罩、设计、制造和测试领域都积累了许多的技术和经验。 随着中国经济保持高速发展，并不断加强寻求向更高附加值的产业结构转型。叠加国家安全等因素，将 IC 国产化进一步提升到到一个新的高度。 纵观半导体行业的发展史，全球半导体产业在经历了从美国转移至日本、日本转移至台湾、韩国之后向中国大陆的迁移。

世界范围内的三次半导体产业转移  

产业转移的趋势离不开产能的转移和需求的转移。中国本身是全球最大半导体消费市场，同时半导体产能和技术正在快速提升。巨大的市场需求是拉动半导体产业发展的根本因素，也是促使产业链在全球范围内进行不断调整和转移的重要原因。目前全球 60％以上的电子产品来自中国制造，所需半导体消耗量非常巨大。 从美国、日本和韩国的存储产业的崛起和奋进中，我们不难看出，存储器产业与国民经济战略方向以及社会综合资源的关系正越来越紧密。中国存储企业要崛起，势必离不开这方面的支持， 在产能和需求都在转向中国的半导体产业转移大背景下，当下正是多方力量共同协力推动国产存储业高速发展的机会窗口。