K4B2G1646Q-BCK0存储卡芯片

地区:广东 深圳
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K4B2G1646Q-BCK0存储卡芯片主图

K4B2G1646Q-BCK0存储卡芯片参数

制造商IC编号K4B2G1646Q-BCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1600(11-11-11)

标准包装数量

标准外箱

潜在应用


K4B2G1646Q-BCK0存储卡芯片相关信息

国产电容器命名通常由这四部分组成,但国际上固定电容器的命名通常由六部分组成。分别为

第一部分:用字母表示类型;

第二部分:用数字表示结构、封装方式;

第三部分:用字母或数字表示温度特性;

第四部分:用字母和数字表示耐压值;

第五部分:用三位数字表示标称容量;

第六部分:用字母表示偏差。

1、铝电解电容器:它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反。

2、钽铌电解电容器:它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是:体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好,用在要求较高的设备中。

3、陶瓷电容器:用陶瓷做介质。在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成。其特点是:体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路。

4、云母电容器:用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。其特点是:介质损耗小、绝缘电阻大。温度系数小,适用于高频电路。

5、薄膜电容器:结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路。

6、纸介电容器:用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成。它的特点是体积较小,容量可以做得较大。但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路。

7、金属化纸介电容器:结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路。

8、油浸纸介电容器:它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强其耐压。其特点是电容量大、耐压高,但体积较大。

型号/规格

K4B2G1646Q-BCK0

品牌/商标

SAMSUNG

封装

BGA

批号

17+

速度

800mhz