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MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家主图
MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家相关信息
制造商IC编号MT29F64G08AJABAWP:B
厂牌MICRON/美光
IC 类别FLASH-NAND
IC代码8GX8 NAND SLC
脚位/封装TSOP-48
外包装
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)3.3 V
温度规格0 ~ 70 C
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
MT29F64G08AJABAWP:B记忆存储芯片厂家参数
SCM存储级内存
预计存储类内存(SCM)的广泛采用已经有好几年了,而2020年可能是它最终实现的一年。尽管英特尔Optane,东芝XL-Flash和三星Z-SSD内存模块已经上市了一段时间,但到目前为止,它们的影响还没有完全破灭。
企业存储软件开发商Weka.io的 CTO Andy Watson说:“现在最大的区别是,英特尔已经使他们的Optane DCPMM永久性内存模块版本能够正常工作。” “这是改变游戏规则的人。”
英特尔设备融合了快速但易失的DRAM和较慢但持久的NAND存储的特性。这种两步骤组合旨在提高用户处理大型数据集的能力,同时提供DRAM的速度以及NAND的容量和持久性。
SCM不仅比基于NAND的闪存要快,而且速度要快1000倍。沃森说:“微秒延迟,而不是毫秒。” 他补充说:“将需要一些时间来解决我们的应用程序和基础架构意味着什么,”这是我们的集体负责人。Watson预测,SCM最初的大发展将是扩展内存,并指出第三方软件已经允许内存中的应用程序使用Optane来实现高达768TB的占用空间。
计划采用SCM的数据中心将仅限于部署在使用最新一代Intel CPU(Cascade Lake)的服务器上,这有可能使该技术的直接影响降低。沃森说:“但是投资回报率可能变得不可抗拒,以至于可能引发数据中心升级浪潮,以迎接与这一重大海洋变化相关的不断发展的机会。”
MT29F64G08AJABAWP:B
MICRON
BGA
17+
800mhz