K9G8G08U0A-PCB0服务器ecc芯片

K9G8G08U0A-PCB0服务器ecc芯片主图

K9G8G08U0A-PCB0服务器ecc芯片参数

制造商IC编号K9G8G08U0A-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

iC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MP3 /MP4 /MP5 PLAYEROEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9G8G08U0A-PCB0服务器ecc芯片相关信息

芯片国产化不得不跨的栏杆：DRAM2019-06-03 13:45 预计 18 分钟读完2018 年，中国进口了超过 900 亿美元的存储芯片，这其中三星电子、SK 海力士和美光电子三分天下，而国内厂商的份额为——0％。

 同年 7 月 18 日，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为 8Gb LPDDR4，对于中国 DRAM 产业来说，这是艰难的第一步。 投片，代表在芯片设计上已达到一定水平，且产品上市指日可待，然而日后产品生产良率和稳定度仍有待观察。 

更何况，明年底合肥长鑫的产能最多不过 2 万片晶圆 / 月，即便不考虑明年国际主流是 LPDDR4 的技术差距问题，2 万片晶圆 / 月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然是杯水车薪。 国泰君安电子团队对日美韩三国的 DRAM 研发过程进行了复盘，并对中国在这一次产业变迁中可以采取的策略进行细致展望。 芯片国产化中不可或缺的 DRAM 之战，中国该如何主动出击，又会带来哪些投资机会？

 01日美韩三国演义1969 年，在诺伊斯和摩尔等初代集成电路元勋们的努力下，英特尔成功开发出第一块存储芯片——容量为 64 个字节的 3101 芯片。 次年，英特尔的 12 号员工特德 . 霍夫提出了一种新的设计，将 DRAM 存储器单元的晶体管从四个减少到三个，成功将存储空间提升到 1024 个字节。 这也就是我们如今所用 DRAM 的技术原型。