K9F5608U0D-PIB0海力士ddr3内存

K9F5608U0D-PIB0海力士ddr3内存主图

K9F5608U0D-PIB0海力士ddr3内存参数

制造商IC编号K9F5608U0D-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F5608U0D-PIB0海力士ddr3内存相关信息

东芯的存储之路

鉴于欧美韩占据了存储大部分的市场规模，再加之新一代万亿蓝海物联网设备需要大量的数据存储和传输，中小容量存储芯片将更合适物联网发展的需要。所以现在国内的存储企业大都避开巨头，在中小容量存储芯片发力。

东芯是一家 Fabless 芯片企业，聚焦中小容量 NAND、NOR 闪存芯片、DRAM 内存及 MCP 的设计、生产和销售，是目前国内唯一可以同时提供 NAND/NOR/DRAM/MCP 设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。

2014 年 11 月，东芯半导体有限公司成立

2014 年 12 月，与中芯国际共同开发 24nm 工艺制程的 NAND Flash

2015 年 4 月，收购 Fidelix ，成为其第一大股东

2015 年 10 月，国内首颗 1G SPI NAND 芯片，在中芯国际 38nm 工艺生产线上成功流片

2016 年 7 月，国内首颗 4G SLC NAND 芯片，在中芯国际 24nm 工艺生产线上成功流片

2016 年 09 月 , 11 月，获得上海市科委举办的创新创业大赛一等奖，获得上海市高新技术企业认定

2017 年 03 月，获得上海市集成电路行业协会理事单位荣誉，50nm Wide-range NOR Flash 在武汉新芯成功流片

2017 年 04 月，自主研发的 16Gb MLC NAND Flash 系列芯片获得上海市经信委软件和集成电路专项资金支持

2017 年 09 月，国内首颗 2G SPI NAND 芯片在中芯国际 38nm 工艺生产线成功流片

现在，东芯半导体不仅是行业领军企业，而且多次缩小了国家存储芯片 IC 设计能力与国际领先水平的差距。“东芯半导体虽然成立时间不长，但是我们整个产品设计，IP 有过往二十多年的经验和积累，这个是国内的很多初创团队不具备的。包括产品质量，和晶圆厂的工艺参数的磨合，在产品交付，全球大客户的合作上，我们都非常的有优势。目前，我们在国内合作的晶圆厂，都非常期待和我们一起开发新工艺，新产品，大家一起合作，努力把国内的整个存储器行业提升到新的高度。”东芯半导体助理总经理陈磊日前在接受半导体行业观察时谈到。