MT29F256G08AUCABH3-10:A内存芯片商新款

MT29F256G08AUCABH3-10:A内存芯片商新款主图

MT29F256G08AUCABH3-10:A内存芯片商新款参数

制造商IC编号MT29F256G08AUCABH3-10:A

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32GX8 NAND MLC

脚位/封装LBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F256G08AUCABH3-10:A内存芯片商新款相关信息

03全闪存储最主要的优势是什么？有些客户会经常问到一个问题，如果我买的存储系统里全部使用SSD介质，是否就是全闪存储了？答案是否定的，通常市场上所说的真正的全闪存储不仅存储介质使用SSD或者SCM卡等闪存介质，更多的是在软件栈上针对全闪介质和整个存储系统进行了算法的优化设计，从而更大幅度提升闪存介质带来的性能提升，以及延长闪存介质的使用寿命。在此基础上，全闪存储最大的优势是，用更小的容量空间带来更高的IOPS以及极低的响应延迟，因为传统存储中如果想要达到某个性能值，需要通过磁盘数量的堆积来满足IOPS，而全闪存储可以使用极低的容量来满足，甚至于当前某些全闪产品的容量和性能没有明显的关系，从而来满足小容量下极高的IOPS要求和极低的响应延迟。

通常来说，一般的传统存储IOPS和磁盘数量相关，一般的SAS盘，可达到100-150个IOPS/盘，前提是前端和后端不会成为性能瓶颈，此时可以粗略认为更多的磁盘带来更多的IO，但是往往有些客户的需求中，数据存储并不需要更大的容量，所以这时为了达到IOPS要求就不可避免的多配置了一些硬盘，造成了空间的浪费。另外，传统阵列由于硬件和软件的设计原因，响应延迟一般在5ms以内，难以进入1ms的响应延迟范围，但是全闪存储可以比较轻松的达到1ms以内的响应延迟，存储系统的响应延迟会带给业务系统更高的响应延迟，这对于核心高频交易系统来说是非常重要的性能指标，直接关乎客户的生产体验。