S3C2416X40-Y640内存芯片商

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S3C2416X40-Y640内存芯片商参数

制造商IC编号S3C2416X40-Y640

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别CPU

IC代码3c2416

脚位/封装

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)

温度规格

速度标准

包装数量1190

标准外箱

潜在应用

S3C2416X40-Y640内存芯片商主图相关信息

磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。

当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。

磁敏电阻是利用某些材料电阻的磁敏效应制成的，其外形结构如下图（a）所示。磁敏电阻都做成片状，长、宽尺寸只有几毫米。为了提高灵敏度，电阻体经常做成弯弯曲曲的形状，并通过光刻等方法形成栅状的短路条。磁敏电阻多采用片形膜式封装结构，有两端和三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。

磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb（锑化铟）材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。几何磁阻效应是指半导体材料磁阻效应，与半导磁敏电阻的用途颇广