TC58NVG2S3ETAI0全新芯片热卖SPANSION

地区:广东 深圳
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TC58NVG2S3ETAI0全新芯片热卖SPANSION主图

TC58NVG2S3ETAI0全新芯片热卖SPANSION参数

制造商IC编号TC58NVG2S3ETAI0

厂牌KIOXIA/鎧俠

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND SLC


脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

TC58NVG2S3ETAI0全新芯片热卖SPANSION相关信息


2019年9月19日中国闪存市场峰会在深圳召开,本次“闪存大会”的主题是“存储市场 存储生态”。每一届“闪存大会”都吸引众多来自全球存储设备领导厂商,技术与研发企业,专业及技术人士,渠道与终端用户赶赴现场,共同领略来自存储领域最前沿的科技信息,市场动态与未来走向。作为存储技术开发与产品研发的领导者,东芝存储在本次大会上派出了庞大的代表团,为现场观众奉上了一场来自东芝的存储科技盛宴。东芝存储器技术执行官柳茂知先生在大会上发表“迅速迭代的闪存技术,满足应用的不断创新”主题演讲。

同时东芝也在场馆里为大家展示了来自其最先进的闪存类存储技术与产品。东芝存储器SSD技术执行官柳茂知先生柳茂知先生首先在演讲中公布,东芝存储将于今年10月正式启用新名称“KIOXIA(铠侠)”,并由此展开全新的发展旅程。

而位于日本四日市及北上的工厂将继续加大投入,如今他们已成为全球最大的闪存研发及生产基地,全球份额达到了40%之多。对于未来的的闪存产品,柳茂知先生提出,现如今的系统将无法支持5G下爆炸性的数据增长及供应量。从现有的大数据调研结果来看,未来的闪存产品将在移动设备,LOT设备中得到极为广泛的应用。未来存储设备需要满足高达100X速度提升,巅峰传输速度将达到10Gbit/s。在这样的应用需求背景下,业界及市场对闪存存储也提出了新的要求。以传统的局域网络传输应用举例,存储设备的性能将从400Gbps提升至1.6Tbps;与之相对的,东芝将在现有第四代96层BiCS闪存堆叠技术基础上进行升级。

型号/规格

TC58NVG2S3ETAI0

品牌/商标

TOSHIBA

封装

TSOP48

批号

17+

速度

800mhz