K4M56323PI-HG75p10闪存芯片

K4M56323PI-HG75p10闪存芯片主图

K4M56323PI-HG75p10闪存芯片参数

制造商IC编号K4M56323PI-HG75

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别SDRAM-MOBILE-LP

IC代码8MX32 LPSDRAM

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格-25 C~+85 C(WIR

速度133 MHZ

标准包装数量1120

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用MP3 /MP4 /MP5 PLAYEROEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K4M56323PI-HG75p10闪存芯片相关信息

关于转速

转速在这里指的是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数。硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方，要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，等待时间也就越短。

硬盘转速以每分钟多少转来表示，单位表示为 RPM，RPM 是 Revolutions Per minute 的缩写，是转/每分钟。RPM 值越大，内部传输率就越快，访问时间就越短，硬盘寻找文件的速度也就越快，硬盘的整体性能也就越好。

讲实在的就是：转速高了就意味着你玩游戏的时候载入的时候不用等那么久了，加载东西的速度也变快。现在移动硬盘的转速一般有 5400rpm、7200rpm，速度越快越好。

关于单碟容量

它是硬盘相当重要的参数之一，一定程度上决定着硬盘的档次高低。

硬盘一般都是由一个或几个盘片组成的，单碟容量是指一个盘片上正反面容量的总和。单碟容量的提高意味着生产厂商研发技术的提高，这所带来的好处不仅是使硬盘容量得以增加，而且还会带来硬盘性能的相应提升。原因是：单碟容量的提高就是盘片磁道密度每英寸的磁道数的提高，磁道密度的提高不但意味着提高了盘片的磁道数量，而且在磁道上的扇区数量也得到了提高，所以盘片转动一周，就会有更多的扇区经过磁头而被读出来。因此，相同转速的硬盘，单碟容量越大内部数据传输率就越快，此外，单碟容量的提高使线性密度(每英寸磁道上的位数)也得以提高，有利于硬盘寻道时间的缩短。

关于接口

目前市场主流的移动硬盘采用都是USB2.0 和 USB3.0 接口，其主要就是传输速度上的区别。

一般 USB2.0 的实际传输的速度为 30 MB -40MB/s，而 USB3.0 的传输速度可达到 60MB-140MB/ｓ，当然得注意前提是你的电脑主板支持 USB3.0。现在购买时，请毫不犹豫选购带有 USB3.0 接口的移动硬盘，传输速度有不小的提升。