K9F1208UOB-PCBOmp3闪存芯片

K9F1208UOB-PCBOmp3闪存芯片主图

K9F1208UOB-PCBOmp3闪存芯片参数

制造商IC编号K9F1208UOB-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9F1208UOB-PCBOmp3闪存芯片相关信息

随着对大容量存储需求的不断增长，QLC技术凭借更高存储密度、更低廉的bit成本，成为各大原厂的“新宠”，基于QLC技术的固态硬盘也相继问世，并且这些QLC技术产品无不例外的被注明为适用于读密集型应用场景。

如何评价固态硬盘磨损？

一直以来QLC技术因为其稳定性较差以及P/E寿命仅为SLC的百分之一而备受质疑。殊不知，这种传统的评价体系对于QLC可能有失公允。

不同于HDD可用新数据直接覆盖现有数据，基于NAND Flash的固态硬盘在写入时，必须在写入之前执行擦除动作，这个写入/擦除的周期成为P/E周期。由于QLC的写入寿命相较于SLC，MLC和TLC最差，因此P/E寿命最短。

对于QLC NAND Flash因为每个cell里面的bit数量增多，单位面积容量就越高，同时会导致不同电压状态越多，并且越难控制，稳定性越差，P/E寿命也越差。

然而，我们之前忽略了NAND Flash颗粒的一个闪光点，即NAND Flash颗粒仅在写入时会产生磨损，而读取应用产生的磨损微不足道。而HDD在读取和写入时均会产生磨损。

随着SSD应用的不断扩展，P/E周期已经不能用来客观评价SSD寿命。业界逐渐形成了以存储设备具有额定磨损值来讨论SSD的耐久性，通常用每日硬盘写入量DWPD表示，DWPD=TBW/[（驱动器容量）*（保修期（天）]（其中TBW指硬盘总写入量）。

不要高估DWPD需求，很多高速增长的存储需求所需要的DWPD都较低