K4B1G1646E-HCF8海力士ddr3内存

K4B1G1646E-HCF8海力士ddr3内存主图

K4B1G1646E-HCF8海力士ddr3内存参数

制造商IC编号K4B1G1646E-HCF8

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码64MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1066 (533MHz @ CL=7, tRCD=7,tRP=7)

标准包装数量

标准外箱

潜在应用CAR ELEC./ AUTOMOBILE/汽车电子OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K4B1G1646E-HCF8海力士ddr3内存相关信息

选择绝缘电阻表的电压等级应按电气设备电压等级选用。如果绝缘电阻表电压过高，可能会损坏被测设备的绝缘；如果电压过低，测量数据不能真实反映其绝缘情况。电压高的电力设备，对绝缘电阻值要求大一些，须使用电压高的兆欧表来测试；而电压低的电力设备，它内部所能承受的电压不高，为了设备安全，测量绝缘电阻时就不能用电压太高的兆欧表。在选用绝缘电阻表时，原则上必须保证绝缘电阻表的额定电压与被测对象的额定电压相适应。应《电气设备试验标准》测量绝缘电阻时，采用绝缘电阻表的电压等级如下表：

由于各种电气设备、电力线路及装置的工作电压要求其耐压强度的数值相差很大，所以对其绝缘电阻值的测量范围要求大不相同。选择合适阻值的量程范围，能更好保证测量精度分析其绝缘情况。高压设备经长期运行后，表面将积聚大量油污灰尘物，影响其绝缘强度。线圈绝缘材料在恶劣的运行环境下，受温度作用会导致绝缘材料的老化开裂线圈受潮。为了保障电力长期安全运行，定期测量绝缘电阻是很必要的