K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列

K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列主图

K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列参数

制造商IC编号K9F1208U0B-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F1208U0B-PCB0闪存存储阵列相关信息

第一类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化，下面以C0G介质为例。C0G介质的变化量仅0±30ppm/℃，实际上C0G的电容量随温度变化小于0±30ppm/℃，大约为0±30ppm/℃的一半。

根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（例如字母X）工作温度；第二位部分有效数字为最高工作温度；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。

常见的Ⅱ类陶瓷电容器有： X7R、 X5R 、 Y5V、Z5U其中：

X7R表示为：第一位X为工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；

X5R表示为：第一位X为工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；

Y5V表示为：第一位Y为工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%。

Z5U表示为：第一位Z为工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%，

陶瓷电容器 （ceramic capacitor；ceramic condenser ） 就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。