晶体管 IXTA130N10T FET-MOSFET

IXTA130N10T介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 TrenchMV™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 130A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.1 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 104nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5080pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 360W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-263（IXTA）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。