晶体管 IRFB4410PBF MOSFET - 单

IRFB4410PBF介绍:

描述 MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 通孔 N 沟道 100V 88A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 88A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5150pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 58A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220AB

封装/外壳 TO-220-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。