晶体管 VP2206N3 MOSFET - 单

地区:广东 深圳
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VP2206N3介绍:

描述 MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 7 周

详细描述 通孔 P 沟道 60V 640mA(Tj) 740mW(Tc) TO-92-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Microchip Technology

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 640mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 900 毫欧 @ 3.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 10mA

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 450pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 740mW(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-92-3

封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,

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从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gate electrode)使用金属作为其材料。



系列

-

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

\t60V