晶体管 IXFT36N50P 半导体产品

IXFT36N50P介绍:

描述 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 HiPerFET™，PolarP2™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 93nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 540W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-268

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供最直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家专业代理和分销世界各类知名品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

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在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。