晶体管 JAN2N2222A 双极 (BJT) - 单

JAN2N2222A介绍:

描述 TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

制造商标准提前期 2 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 Microsemi Corporation

系列 -

包装 ? 散装 ?

零件状态 在售

晶体管类型 NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 800mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1V @ 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值） 50nA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值 500mW

频率 - 跃迁 -

工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装 TO-18

基本零件编号 2N2222

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晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。