晶体管 FDH038AN08A1 MOSFET

地区:广东 深圳
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FDH038AN08A1介绍:

描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 5 周

详细描述 通孔 N 沟道 75V 22A(Ta),80A(Tc) 450W(Tc) TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 75V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 22A(Ta),80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8665pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 450W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247

封装/外壳 TO-247-3

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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晶体管在当今社会的重要性,主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程,进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一。


系列

PowerTrench®

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

6V,10V