晶体管 IRF7904TRPBF MOSFET - 阵列

IRF7904TRPBF介绍:

描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A，11A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16.2 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.25V @ 25μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 910pF @ 15V

功率 - 最大值 1.4W，2W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SO

基本零件编号 IRF7904PBF

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晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。