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产品属性
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深圳市福田区科铭达电子经营部
一般信息
标准包装
4,000
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
IRF8736TRPBFTR
SP
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2315pF @ 15V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.8 毫欧 @ 18A,10V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
30V
18A(Ta)
4.5V,10V
2.35V @ 50μA