供应 IRF7842TRPBF 原装现货供应
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
深圳市福田区科铭达电子经营部
一般信息
标准包装
4,000
包装
标准卷带
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列
HEXFET®
其它名称
IRF7842PBFTR
SP
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4500pF @ 20V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5 毫欧 @ 17A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
40V
18A（Ta）
4.5V，10V
2.25V @ 250μA
