供应IRF7343TRPBF 原装现货热销

地区:广东 深圳
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            一般信息

标准包装   4,000
包装   标准卷带 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 HEXFET®
其它名称 IRF7343PBFTR 
SP 

规格
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.7A,3.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO


FET 类型

N 和 P 沟道

FET 功能\t

标准

漏源电压(Vdss)

55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

4.7A,3.4A