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供应IRF7406TRPBF 原装现货供应

地区：广东 深圳
认证： 无

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           一般信息

标准包装   1
包装   剪切带（CT） 
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF7406TRPBF 
IRF7406PBFCT 

规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）


漏源电压（Vdss）

30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

5.8A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

1V @ 250μA