INFINEON 英飞凌,场管效应 IKW75N60T

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片标准包装类别家庭系列IGBT 类型电压 - 集射*击穿(*大值)不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)电流 - 集电* (Ic)(*大值)Current - Collector Pulsed (Icm)功率 - *大值Switching Energy输入类型Gate ChargeTd (on/off) A 25°CTest Condition反向恢复时间 (trr)包装封装/外壳安装类型供应商器件封装其它名称
IKW75N60T
TO-247-3
240
分立半导体产品
IGBT - 单路
TrenchS*™
沟道和场截止
600V
2V @ 15V,75A
80A
225A
428W
4.5mJ
标准
470nC
33ns/330ns
400V, 75A, 5 欧姆, 15V
121ns
管件
TO-247-3
通孔
TO-247-3
SP
"
品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IKW75N60T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

功率

428W