infineon 英飞凌 原装*IC 贴片功率mosfet IKW20N60T

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片标准包装类别家庭系列IGBT 类型电压 - 集射*击穿(*大值)不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)电流 - 集电* (Ic)(*大值)Current - Collector Pulsed (Icm)功率 - *大值Switching Energy输入类型Gate ChargeTd (on/off) A 25°CTest Condition反向恢复时间 (trr)包装封装/外壳安装类型供应商器件封装其它名称
IKW20N60T
TO-247-3
240
分立半导体产品
IGBT - 单路
TrenchS*™
沟道和场截止
600V
2.05V @ 15V,20A
40A
60A
166W
770µJ
标准
120nC
18ns/2199ns
400V, 20A, 12 欧姆, 15V
41ns
管件
TO-247-3
通孔
PG-TO247-3
IKW20N60TAFKSA1
SP
品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IKW20N60T

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

安装类型

通孔