优质库存,供应场管效应/英飞凌INFINEON SPP11N80C3

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数据列表产品相片产品培训模块标准包装类别家庭系列FET 类型FET 功能漏源*电压 (Vdss)电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)功率 - *大值安装类型封装/外壳供应商器件封装包装产品目录页面其它名称
SPP11N80C3
TO-220-3
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
500
分立半导体产品
FET - 单
CoolMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
800V
11A
450 毫欧 @ 7.1A,10V
3.9V @ 680µA
85nC @ 10V
1600pF @ 100V
156W
通孔
TO-220-3
PG-TO220-3
管件
1615 (CN2011-ZH PDF)
SP
SP
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

SPP11N80C3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

类型

分立式半导体