下一代 DRAM 工艺，三星计划引入 VCT 技术抢占先机

　　根据媒体报道，在 DRAM 市场竞争日益激烈的当下，三星电子明确了其下一代技术发展方向。据悉，三星已决定在第七代 10nm 级 DRAM 内存工艺（1d nm）之后，引入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计将在 2 至 3 年内问世。
　　此前，三星在 1d nm 后的研发方向上曾面临 1e nm 与 VCT DRAM 两种方案的抉择。经过综合评估，三星最终选定了更具革新潜力的 VCT 技术，并将 1e nm 团队整合至 1d nm 项目中，以加速 VCT 技术的开发进程。VCT DRAM 通过有效利用三维空间，能够显著提升存储密度。然而，其开发难度极高，需要突破传统内存技术的限制，并采用先进的封装工艺。相比之下，竞争对手 SK 海力士规划了从 1d nm 到 0a nm，再到 VG DRAM 的技术路径。三星此举旨在通过技术创新，巩固其在 DRAM 市场的领先地位。
　　4F技术的发展趋势
　　随着单元面积的减小，DRAM 的密度和性能不断提升。在 AI 等应用的推动下，4F 技术逐渐受到各大存储厂商的关注。三星曾表示，多家公司正致力于将技术过渡至 4F 垂直通道晶体管 DRAM，但需要克服一些技术挑战，如开发氧化物通道材料和铁电体等新材料。业内人士认为，三星计划在 2025 年推出的 4F DRAM 首批样品可能仅为内部发布的试制样品。半导体设备制造商东京电子估计，采用 VCT 和 4F 技术的 DRAM 将在 2027 年至 2028 年间问世。
　　市场竞争与技术革新
　　在 AI 应用浪潮的推动下，高性能内存的需求持续飙升，以高带宽存储 HBM 为代表的 DRAM 受到市场的极大追捧。为了进一步满足市场需求，三大内存厂商都在积极布局，迎接新一轮 DRAM 技术 “革命”。2024 年，SK 海力士宣布计划开发 4F（方形）DRAM。自 1c 纳米制程 DRAM 商业化以来，极紫外（EUV）光刻制程工艺的成本一直在快速上涨，因此 SK 海力士正在考虑为未来的 DRAM 制造垂直栅极（VG）或 3D DRAM，以降低成本。