10 x 12mm 650V MOSFET命中3.74ΩNC和8Ωpf

　　Vishay声称其最新的650V超级装置MOSFET的行业最低RD（ON）.QG和RDS（ON）.co（on）.co（er）。

　

　　SIHK050N65E是一种针对功率因数校正的N通道设备，随后的DC-DC转换器块最高为6kW。
　　典型的抗性为48mΩ（25°C，10VGS），门电荷可以为78NC（16A，520V，10VGS）。
　　Vishay说：“该设备解决了200至277VAC输入和Open Compute项目的ORV3标准。”它可以“解决服务器电源中的特定钛效率要求，或达到96％的峰值效率，[和]旨在通过100％UIS测试来承受在雪崩模式下在雪崩模式下的过电压瞬变。”
　　对于硬开关，例如在PFC和两转弯转换器中，典型的有效输出电容CO（ER）和CO（TR）分别为167pf和1.119nf。
　　包装为10 x 12mm的表面安装收费，并提供了开尔文连接以改善门驱动器。