英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP 混合反激控制器IC

　　业界首款PFC和混合反激（HFB）组合IC后，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP?混合反激数字控制器系列，采用先进的不对称半桥（AHB）拓扑结构，将反激转换器的简易性和谐振转换器的效率相结合，从而实现高功率密度设计。因此，该控制器系列适用于各类AC/DC应用，包括二级市场和原厂充电器、适配器、电动工具、电动自行车充电器、工业开关电源、电视机电源、LED驱动器等。

　　与有源钳位反激（ACF）和 LLC 谐振转换器相比，混合反激拓扑结构具有诸多优势。它减少了磁能存储，并以较低的漏感运行，从而实现更小尺寸的变压器设计。混合反激（HFB）在广泛的输出电压范围内实现了高效率，并通过多模式运行减少了功率损耗，不仅降低了待机功耗，还提升了低负载条件下的效率，以符合《能效一致性证书》（CoC） 2 级和美国能源部（DoE）7级标准。这些特性使HFB非常适合设计紧凑、高效的电源。通过正在申请专利的PFC特性改进技术、同步PFC和HFB启动操作，以及面向最新CoolGaN?晶体管的优化措施，E型混合反激IC进一步提高了功率转换应用的性能。此外，简化的参数配置，配合全面的设计工具和设计指南，为高效地实现先进设计提供了有力支持。

　　该技术的相关信息已在美国亚特兰大APEC 2025大会（3月16日-20日）英飞凌展台上公布。展品包括超紧凑型140 W GaN充电器、拥有出色待机表现和部分负载效率的 120 W多端口充电器解决方案，以及DC-DC电压转换效率达到97%以上的超薄400 W电源装置。