Infineon - 英飞凌推出新一代高功率密度功率模块，赋能AI数据中心垂直供电

　　功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结合英飞凌一贯的稳健性，为AI数据中心运营商实现业界领先的功率密度，降低总体拥有成本（TCO）。

　　TDM24XX kaveri
　　OptiMOS TDM2454xx四相功率模块实现了真正的垂直供电（VPD），并提供 行业领先的2安培/平方毫米电流密度    。此模块延续了英飞凌去年推出的OptiMOS TDM2254xD和TDM2354xD 双相功率模块，继续为加速计算平台提供卓越的功率密度。在传统水平供电系统中，电流需要流经半导体晶圆表面，这导致了电阻增加并产生了明显的功率损耗。垂直供电通过缩短电流传输路径，减少电阻损耗，从而提升系统效率。
　　根据国际能源署（IEA）数据，数据中心目前占全球能耗的2%。在AI发展的推动下，数据中心的电力需求预计将在2023至2030年间增长165%。持续提升从电网到主板核心的电源转换效率与功率密度是进一步提高计算性能并降低TCO的关键。
　　英飞凌科技功率IC产品线副总裁Rakesh Renganathan表示：“我们很高兴推出 OptiMOS TDM2454xx VPD模块，来扩展英飞凌的高性能 AI 数据中心解决方案。我们采用三维的设计方式，并且利用业界领先的功率器件、封装技术，以及我们深厚的系统底蕴，提供高性能的节能型计算解决方案，进一步实现我们推动数字化和低碳化的企业使命。”
　　通过采用英飞凌强大的OptiMOS 6沟槽式技术功率组件和嵌入式芯片封装，OptiMOS TDM2454xx模块可以提供优异的电气和散热性能，同时运用创新的超薄电感设计技术，不断提高VPD系统性能和质量的极限。此外，OptiMOS TDM2454xx的结构设计有利于模块化拼接，且能改善电流传导，进而提升电气、散热和机械性能。该模块在四相电源中最高支持280A电流，并在仅10x9 mm的小型封装内整合了嵌入式电容层，结合英飞凌的 XDP 控制器，可实现稳定耐用的高电流密度功率解决方案。
　　OptiMOS TDM2454xx模块进一步巩固了英飞凌在市场中的特殊地位。凭借基于所有相关半导体材料的广泛产品和技术组合，英飞凌能够以更节能的方式为不同的AI服务器配置提供从电网到核心的动力。