英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！

　　作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业，进一步推动了GaN市场快速增长。
　　目前，英飞凌全新一代的氮化镓产品CoolGaN G3和CoolGaN G5系列震撼来袭！采用英飞凌自主研发的高性能200mm晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V！快一起来看看吧！

　　图1.CoolGaN G3系列晶体管和CoolGaN G5系列晶体管
　　CoolGaN G3中压晶体管
　　CoolGaN G3系列覆盖60V、80V、100V和120V电压等级，以及40V双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
　　CoolGaN G5高压晶体管
　　CoolGaN G5系列基于GIT(Gate Injection Transistor，栅注入晶体管)技术推出新一代650V晶体管，以及基于G5的IPS驱动产品，适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。
　　产品特性
　　拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40V、650V和850V电压的CoolGaN双向开关（BDS）。
　　 CoolGaN BDS 650V和850V：采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本
　　 CoolGaN BDS 40V：基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关，能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背MOSFET
　　 相比背对背硅FET，使用40V GaN BDS的优点包括节省50%-75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本
　　 目标应用和市场涵盖移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等
　　具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗的CoolGaN智能感应 Smart Sense。
　　 2kV的静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护
　　 电流检测响应时间约为200ns，小于等于普通控制器的消隐时间
　　 具有极高的兼容性
　　 目标应用和市场涵盖消费电子设备的充电器和适配器