HBM芯片之争愈演愈烈

　　韩国芯片制造商SK海力士 (SK Hynix Inc.)与其全球同行一样，基本上都是内部设计和生产半导体，包括高容量存储器 (HBM)，不同于AI芯片，其需求正在爆炸式增长。
　　然而，对于下一代AI芯片HBM4，该公司计划将芯片制造外包给代工厂或合同芯片制造商，最有可能的是台湾半导体制造股份有限公司 (TSMC)。
　　进一步的是，这家韩国芯片制造商正在积极寻找顶尖人才，以推进自己的 HBM 技术并购外包。该公司的主要猎头目标是谁？它的同城竞争对手三星电子公司。
　　SK海力士是来自行业头羊三星的全球第二大芯片制造商，最近发布的重要招聘信息中有48个与 HBM 相关的职位有经验。
　　SK 在招聘事中表示，公司正在寻找拥有 4 年以上工作经验的芯片专家，通过改进代工工艺和测试逻辑芯片，提高 HBM 逻辑芯片的良率。
　　招聘事称，所需能力包括彻底分析最新代工技术和开发代工设备的能力。
　　该公司特别希望招聘 9 名 FinFET 代工工艺的芯片工程师，FinFET 是一种可以提高半导体功率效率的技术。有意者必须拥有 10 年以上的工作经验。
　　行业观察人士表示，SK 海力士的招聘计划引发了竞争对手对人才流失的担忧，因为他们难以留住他们。
　　三星电子正处于高度备战状态，因为它违反了抵押贷款首次提高工资和改善工作条件的罢工。SK海力士的进步是全行业招聘的一部分，旨在提高技能工人，以利用人工智能热潮，而人工智能热潮正在消耗大量 HBM 等人工智能芯片。
　　尽管三星是全球最大的内存芯片制造商，但在 HBM 领域却远远落后于SK海力士。
　　上周，三星正式成立了专门的 HBM 和先进芯片封装团队，以努力赶上SK海力士。
　　三星誓言今年将 HBM收益率提高三倍 ，并渴望通过全球第一大人工智能芯片设计商Nvidia Corp. 的优质测试。
　　业内人士称，SK海力士需要用顶尖工程师来研发第六代HBM4，六月份计划于明年开始量产，同时推荐开发和改进下一代3D DRAM芯片和内存处理（PIM）芯片。
　　今年4月，SK表示正与台积电合作开发下一代AI芯片。SK海力士主导着对生成式AI计算至关重要的HBM的生产，而这款台湾晶圆代工厂的先进封装技术可帮助HBM芯片和图形处理单元（GPU）高效协同工作。SK海力士表示，两家公司将首先沿着提高HBM封装最底部基片的性能。HBM通过使用一种称为硅通孔 (TSV) 的加工技术将核心 DRAM 芯片堆栈在基片顶部而制成。基片连接到控制 HBM 芯片的 GPU。SK海力士表示，它已经使用消耗技术制造了最高可达第四代 DRAM 存储器 HBM3E 的基片，但计划在 HBM4 的基片上采用台积电的先进逻辑工艺，并引入有限的空间内塞入更多功能。
　　两家公司节省了合作优化 SK 海力士 HBM 与台积电 2.5D 封装工艺（称为 CoWoS 技术）的集成，同时合作响应与 HBM 相关的常见客户请求。
　　三星已为其新成立的HBM团队增加了300名工程师，以开发HBM4芯片。作为仅次于台积电的全球第二大晶圆代工企业，三星可以处理与HBM4相关的所有工艺，包括逻辑芯片设计、封装和生产。三星副董事长全永铉于5月执掌三星设备解决方案 (DS) 部门，该部门负责监管公司的芯片业务，他誓言在未来几年超越HBM领域领导者SK海力士。
　　一位业内官员表示：“三星和SK海力士对AI芯片霸主地位的竞争正在升温，首先想到的HBM4芯片方面。三星民众的第一个挑战是让 Nvidia 批准其 HBM 芯片。”