双 12V MOSFET 漏极连接用于电池组

  

 该公司表示，新部件是 SSM14N956L，“采用东芝的微工艺，与已经发布的 13.5A SSM10N954L 相同”。

    SSM10N954L 电池保护双 MOSFET 应用早期 SSM10N954L 双 MOSFET 的应用电路
    MOSFET 旁边还有用于保护栅极免受过高电压影响的钳位器件以及栅极串联电阻。
    封装为2.74 x 3.0mm x 85μm芯片级封装（东芝的TCSPED-302701封装）。
    在 25°C 和 10A 条件下，导通电阻在 4.5Vg 时通常为 1mΩ，在 3.1V 时为 1.25mΩ，在 2.5V 时为 1.6mΩ（2.5V 时最大为 3.2mΩ）
    “此外，该工艺可提供 ±1μAmax 的栅源漏电流，”东芝补充道。
    预计将应用于智能手机、平板电脑、移动电源和数码相机。