ST 量产 e-mode PowerGaN HEMT 器件

    该系列的前两款产品SGT120R65AL和SGT65R65AL是工业级 650V 常断G-HEMT，采用 PowerFLAT 5×6 HV 表面贴装封装。它们的额定电流分别为 15A 和 25A，25°C 时的典型导通电阻 (R DS(on) ) 分别为 75mΩ 和 49mΩ。
    此外，3nC 和 5.4nC 的总栅极电荷以及低寄生电容可确保最小的开启/关闭能量损失。开尔文源极连接可实现优化的栅极驱??动。除了减小电源和适配器的尺寸和重量之外，这两款新型 GaN 晶体管还提供更高的效率、更低的工作温度和更长的使用寿命。
    在接下来的几个月中，ST将推出新的PowerGaN变体，即符合汽车标准的器件，以及其他功率封装选项，包括用于高功率应用的PowerFLAT 8×8 DSC和LFPAK 12×12。
    ST 的G-HEMT 器件促进了功率转换领域向 GaN 宽带隙技术的过渡。具有与硅替代品相同的击穿电压和 R DS(on)的 GaN 晶体管可以实现更低的总栅极电荷和寄生电容，并且反向恢复电荷为零。
    这些特性提高了效率并增强了开关性能，从而允许更高的开关频率，从而允许更小的无源元件，从而提高功率密度。因此，应用程序可以变得更小，性能更高。未来，GaN 有望实现新的功率转换拓扑，进一步提高效率并降低功率损耗。