为将低成本存储器和高性能逻辑器件集成于大的嵌入式存储器模块，日前斯坦福大学纳米研制中心(SNF)与韩国国家纳米制造中心（NNFC），以及美国初创公司BeSang Inc.表示在3D IC技术上获得突破。
作为测试产品，该3D IC采用标准的0.18微米CMOS工艺在8寸晶圆上制作出1.28亿个垂直导向的器件，并且工艺在低于400oC的低温下进行。首先在硅衬底上形成一个亚微米的单晶硅层和两层金属互连层，然后制作垂直器件和另外的金属层。该技术在垂直器件底部和顶部形成完全的3D互连。BeSang表示，该技术早在2007年已在SNF成功演示，从去年7月开始在NNFC进行更进一步商业性开发。
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