8月下旬的NAND Flash合约价再度杀声隆隆，估计主流8Gb和16Gb晶片的价格跌幅都超过10%，朝着贴近现货价的脚步前进，记忆体业者表示，消费市场信心不足是主要因素，NAND Flash大厂和记忆体模组厂手上的库存水位过高，然第3季传统旺季效应不再，大家都积极清理手上的库存，使得NAND Flash价格在短期内大幅下跌，继8月上旬合约价大跌约15%，下旬合约价再度下跌超过10%。
2008年是NAND Flash产业少见的严峻寒冬，除了第2季价格一路下探，到了第3季消费性产品的传统旺季后，不但没有终端买气升温的迹象，NAND Flash价格反而是持续探底，8月初开始成了这次的领跌波。
记忆体业者表示，三星电子(Samsung Electronics)和新帝纷纷看坏NAND Flash产业后市，使得各界开始信心动摇，尤其新帝表示库存水位高达9周之多，第3季要开始杀价，以降低眼前的库存水位，成了NAND Flash价格开始崩盘的元凶，加上NAND Flash大厂如三星等库存也相当高，使得NAND Flash现货价和合约价一路犹如兵败如山倒。
8月上旬合约价大跌约15%，估计下旬将续跌超过10%，再度传出杀声隆隆，主要是反应NAND Flash现货价格跌太多，合约价也要跟着修正，目前16Gb晶片已是主流容量，1颗16Gb晶片现货价约2.7美元，贴近年初1颗8Gb晶片的价格，反应NAND Flash製程技术和成本的降低，主流容量顺利完成世代交替。
记忆体业者认为，目前库存问题需要消化，否则NAND Flash产新产能其实不多，因为三星、海力士(Hynix)等先前都看坏NAND Flash产业，纷纷转移NAND Flash产能到DRAM产能上，或是减产 NAND Flash晶片，都使得下半年NAND Flash新产能不多。
此外，各家NAND Flash厂在30纳米和40纳米世代的新制程上，都面临转换不如预期顺利的问题，仅东芝在43纳米制程开始量产，照理NAND Flash价格不应该在传统旺季出现崩盘，这次的情况的确超乎大家所预期，库存和终端需求太弱是2大关键杀手。
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