美国美光科技（Micron Technology）发布了存储容量为1Gbit的串行NAND闪存（英文发布资料）。在NAND闪存上配备了SPI兼容的串行接口。主要面向嵌入用途。
用该产品代替串行NOR闪存，不仅能够降低单位容量的价格，还能够提高写入速度。写入速度为2.64MB/秒。而串行NOR闪存的写入速度不到0.5MB/秒。嵌入设备通过配备此次的产品，可够省去内存卡外置用卡槽，减少设备的部件成本。另外，还配备片上芯片纠错码功能（Error Correction Code）。
现已开始样品供货。预定2009年季度开始量产。美光计划09年初期发布更高集成密度，存储容量高达4Gbit的串行NAND闪存。
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