三星08年前将向美国芯片工厂投资35亿美元

      世界的存储芯片制造商———韩国三星电子公司15日表示，将在2008年前投资35亿美元，用于其在美国得克萨斯州的芯片制造工厂的产能扩张。 

      三星公司宣布，这笔投资将制造用于音乐播放器、手机以及数码相机等产品的NAND闪存芯片。 

      同日，三星公司对外正式宣布，去年其已经在美国得克萨斯州的工厂开建了一条NAND闪存生产线。 

      三星公司表示，新上马的NAND闪存芯片生产线将于今年下半年投入使用，至2008年其月产能将达到6万个。 

      据悉，三星是目前动态随机存储内存（DRAM）以及NAND闪存制造的领军企业。不过，由于行业竞争激烈，三星近年不断对利润率更高的NAND闪存生产加大投入，以期扩大生产规模，争取成本优势。