IBM三维封装芯片投产，再延摩尔定律

   蓝色巨人IBM公司虽然已经基本上离开了PC业界，但谁也无法忽视他们对于许多关键技术领域的贡献。近日，IBM公司宣布了他们在三维芯片堆叠技术上的新突破，可以让芯片中封装的元件距离更近，让系统速度更快，体积更小，并且更加节能。公司宣称这一技术可以让摩尔定律的失效时间大幅度推后。 
    我们都知道，无论普通的电路还是芯片内的微电路，各个元件都排布在同一个平面上，而3D芯片技术则是将他们一层一层堆叠在一起，这种类似三明治的结构可以有效地减小芯片的体积，同时提高数据在芯片内传输的速度。
    这一技术并不新鲜，三星、NEC、尔必达、Oki等存储芯片厂商都在研发3D封装技术，可以成倍提升存储芯片容量。IBM的新突破在于，他们不再需要使用长长的金属导线来连接不同层次的电路，而是直接在硅板上制造出连接。这种名为“硅穿越连接”的特殊技术直接在对硅晶圆进行蚀刻时就制造出垂直连接的触点，并以金属填充，这样当多层芯片堆叠时可以直接相连，高速传送数据。同传统导线连接相比，这一技术可以将多层芯片间数据在导线中途经的距离缩短1000倍，并允许不同层次间连接的数量提高100倍。
    IBM公司半导体研发中心副总裁Lisa Su说：“这一突破是我们花费十几年研究的成果，终于可以让3D芯片技术从实验室走向正式生产。”使用该技术的产品将是IBM制造的无线网络和手机功放芯片，目前已经开始试产，今年下半年就可拿出样品，08年投入量产。