MOSFET的分类：N沟道与P沟道区别解析
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为一种核心的电压控制型半导体器件，凭借开关速度快、驱动功率...
日期：2026-01-14
n沟道p沟道怎么区分增强型
在MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）中，N沟道和P沟道、增强型与耗尽型的区分是理解其工作原理的关...
日期：2025-08-12
P沟道MOS管导通条件详解
一、核心导通原理P沟道MOS管（PMOS）的导通本质上是通过栅极施加负电压来形成导电沟道。当栅源电压 VGSVGS ...
日期：2025-06-25
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件，是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说，这些器件...
日期：2022-09-23
MOS/CMOS集成电路N沟道MOS管和P沟道MOS管
MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、...
日期：2022-04-22
Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度
器件采用欧翼引线结构PowerPAK?SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101 宾夕法尼亚、MALVERN—202...
日期：2021-04-07
Vishay推出新款通过AEC-Q101的30 V和40 V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET...
日期：2019-03-14
Vishay推出新款20V P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm...
日期：2009-12-12
Fairchild推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设...
日期：2009-09-26
Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出一款业界导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这...
日期：2009-09-16
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设...
日期：2009-08-21
P沟道结型开关场效应管
表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。 一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数
日期：2008-04-23
飞兆40V P沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141出炉
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出40VP沟道PowerTrenchMOSFET产品FDD4141，为功率工程师提供快速...
日期：2008-03-06
NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
近日，NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A...
日期：2008-02-01
NEC电子（欧洲）推出新型P沟道功率MOSFET产品
NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A...
日期：2008-01-25
Zetex新型高压P沟道MOSFET实现更小的有源箝位
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了...
日期：2007-12-07
Fairchild推出P沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司(Fairchild)推出业界封装最小的P沟道MOSFET器件FDZ191P，可为各种低压(<20V)便携式电子产...
日期：2007-12-04
Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω
Vishay的子公司Siliconixincorporated推出一系列新型-150V和-200VP沟道功率MOSFET，这些器件提供了面向有源...
日期：2007-11-26
研诺推出P沟道限流型MOSFET功率开关芯片AAT4620
专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)，日前宣布推出一...
日期：2007-11-16
NEC推出8款汽车用P沟道功率MOSFET产品
NEC电子成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日...
日期：2007-07-31
瑞萨发布 P沟道功率MOSFET
瑞萨科技公司(Renesas)发布了HAT1125H–30V击穿电压P沟道功率MOSFET，它具有非常低的2.7mΩ(典型值)导通电...
日期：2007-04-29
可实现更小有源箝位的高压P沟道MOSFET
Zetex近日推出一系列新型200V额定P沟道MOSFET器件。新器件采用节省空间的SOT23和SOT223封装，极大地减少了...
日期：2007-04-29
