什么是有机场效应晶体管,有机场效应晶体管的知识介绍
有机场效应晶体管(OFET)知识介绍有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistor, OFET)是一种采用...
日期:2025-05-30
什么是单结晶体管,单结晶体管和场效应晶体管的区别是什么
单结晶体管(Unijunction Transistor,简称UJT)是一种具有单一PN结的半导体器件,通常用于振荡器电路和脉...
日期:2025-02-17
了解场效应晶体管的原理和操作
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它...
日期:2024-02-26
第 4 代碳化硅场效应晶体管的应用
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面...
日期:2023-07-21
结型场效应晶体管教程
场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成,其中扩散了 P 型结(栅极)。对于漏极上的正电压,相对...
日期:2023-02-02
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管, 可实现最高功率密度
宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET...
日期:2022-06-01
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN?)功率场效应晶体管和集成电路,zui...
日期:2022-05-17
晶体管,场效应晶体管工作原理
晶体管工作原理 利用半导体的特性,每个管子工作原理个不同,你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指...
日期:2021-03-25
六大技巧下手,正确挑选场效应晶体管
沟道类型 挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用...
日期:2020-05-13
场效应晶体管应用的四点注意事项!
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有...
日期:2019-01-15
不容错过!场效应晶体管使用详解
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有...
日期:2019-01-03
场效应晶体管的几点使用技巧
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,...
日期:2016-05-20
电源应用中场效应晶体管的崩溃效应
前言: 在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场...
日期:2009-12-12
GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管
GBT6219-1998半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范...
日期:2009-05-06
GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
GBT15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.rar建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:htt...
日期:2009-05-06
GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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日期:2009-05-06
GBT 15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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日期:2009-05-06
GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管
GB-T6219-1998半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范...
日期:2009-05-06
GBT_15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
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日期:2009-05-06
GBT_15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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日期:2009-05-06
SJ_2748-1987_微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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日期:2009-05-06
场效应晶体管放大器的使用概述
场效应晶体管好坏的判断及使用时注意事项MOS场效应晶体管使用注意事项MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,...
日期:2008-09-08
MOS场效应晶体管使用注意事项
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极...
日期:2008-06-24
常用场效应晶体管放大器的识别
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个...
日期:2008-06-24
安华高面向无线通信应用推出业内尺寸最小的场效应晶体管
安华高科技近日宣布,推出业内封装尺寸最小的场效应晶体管产品,尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm,这些超小...
日期:2008-06-03
改良电极结构 创新有机场效应晶体管出炉
在国家自然科学基金委、科技部、中国科学院的大力支持下,化学所有机固体院重点实验室研究人员与中科院微电...
日期:2007-12-15
NS推出全新的迟滞式P场效应晶体管降压控制器
美国国家半导体公司(NS)推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器。这款型号为LM3475...
日期:2007-12-03
东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 工作频率可达Ku波段
据EEPW网站报道,东芝公司(ToshibaCorporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的...
日期:2007-11-13
功率场效应晶体管MOSFET
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Trans...
日期:2007-06-08
NS P场效应晶体管降压控制器
国家半导体公司(NationalSemiconductorCorporation)推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降...
日期:2007-04-29