NS P场效应晶体管降压控制器

国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)推出一款可支持高效率系统的迟滞 P 场效应晶体管 (P-FET) 降压控制器。这款型号为 LM3475 的控制器芯片采用极小巧的 SOT23-5 封装，其特点是设有可以简精系统设计的迟滞控制电路。系统设计工程师只要采用这款芯片便无需为系统提供外部补偿，确保多种不同的元件都可稳定操作，而系统则可以作出极快的瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也可支持高效率操作。P 场效应晶体管结构的优点是可以降低所需元件的数目，将占空度提高至 100%，以及操作时只产生极低压降。

这款控制器芯片适用于多种不同的典型应用，其中包括 TFT 监视器、汽车个人电脑系统、汽车保安导航系统、笔记本电脑后备电源供应器、以电池供电的便携式电子产品以及配电系统。

主要的特色及优点

容易使用的控制方法
可调节的输出电压介于 0.8 伏 (V) 与输入电压 (VIN) 之间
效率高 (典型效率高达 90%)
±0.9% 的反馈电压基准 (在 -40°C 至 +125°C 的温度范围内反馈电压达±1.5%)
占空度可高达 100%
操作频率高达 2MHz
内部软启动功能
使能功效

美国国家半导体的 LM3475 芯片以 1,000 颗为采购单位，每颗售 0.40 美元。