有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistor, OFET)是一种采用有机半导体材料作为活性层的场效应晶体管。与传统硅基FET不同,OFET具有柔性、可溶液加工、低成本等优势,在柔性电子、可穿戴设备、生物传感器等领域具有重要应用前景。
1. OFET的基本结构与工作原理
OFET由三个主要电极和有机半导体层组成:
源极(Source, S):载流子注入端
漏极(Drain, D):载流子收集端
栅极(Gate, G):通过施加电压调控沟道导电性
有机半导体层(OSC):导电沟道(如并五苯、P3HT等)
介电层(Dielectric):隔离栅极与半导体(如SiO?、聚合物等)
常见结构:
底栅顶接触(BGTC):栅极在下,源漏极在上(常见)。
顶栅底接触(TGBC):栅极在上,源漏极在下。
柔性OFET:采用PET、PI等柔性基底。
OFET的工作机制与MOSFET类似,基于栅极电压调控沟道电导:
未加栅压(V<sub>G</sub> = 0):有机半导体呈高阻态,漏极电流(I<sub>D</sub>)极小。
施加栅压(V<sub>G</sub> ≠ 0):
对于p型OFET(空穴导电),负栅压(V<sub>G</sub> < 0)吸引空穴,形成导电沟道。
对于n型OFET(电子导电),正栅压(V<sub>G</sub> > 0)吸引电子,形成导电沟道。
漏极电流(I<sub>D</sub>):在漏源电压(V<sub>D</sub>)驱动下,载流子从源极流向漏极。
小分子:并五苯(Pentacene)、酞菁铜(CuPc)
聚合物:P3HT(聚3-己基噻吩)、PEDOT:PSS
小分子:C<sub>60</sub>、PTCDI(苝二酰亚胺)
聚合物:N2200(聚萘二酰亚胺)
同时传输空穴和电子,如DPP类聚合物。
基底清洗:玻璃、硅片或柔性聚合物(PET、PI)。
电极制备:
金属电极(Au、Ag、Al)通过蒸镀或印刷(喷墨、丝网)。
透明电极(ITO、PEDOT:PSS)。
介电层沉积:
无机介电质(SiO?、Al?O?)。
聚合物介电质(PMMA、PVP)。
有机半导体层:
真空蒸镀(小分子)。
溶液法(旋涂、喷墨打印、刮涂)。
领域 | 应用示例 |
---|---|
柔性电子 | 可折叠显示屏、电子皮肤 |
传感器 | 气体传感器(NH?、NO?)、生物传感器(葡萄糖检测) |
射频标签(RFID) | 低成本电子标签 |
存储器 | 有机非易失性存储器(OFET-NVM) |
人工突触 | 类脑神经形态计算 |
柔性可弯曲:适用于可穿戴设备。
低成本:溶液加工(如印刷电子)降低制造成本。
大面积制备:适合卷对卷(R2R)生产。
生物兼容性:可用于植入式医疗设备。
迁移率较低:比硅基FET低1~3个数量级。
环境稳定性差:易受氧气、水分影响(需封装)。
均匀性挑战:溶液法制备的薄膜均一性较难控制。
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。